[发明专利]用于在真空中对表面进行等离子体处理的方法及装置有效
| 申请号： | 200380109320.0 | 申请日： | 2003-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN1745453A | 公开（公告）日： | 2006-03-08 |
| 发明（设计）人： | S·卡德莱克;E·屈格勒;T·哈尔特尔 | 申请（专利权）人： | 尤纳克西斯巴尔策斯公司 |
| 主分类号： | H01J37/34 | 分类号： | H01J37/34;C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 列支敦士*** | 国省代码： | 列支敦士登;LI |
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| 摘要： | 为了实现具有从真空处理过程中得到的处理结果的预定两维表面分布的基片表面，产生不均匀密度分布的等离子体(5)，并且相对基片(9)以预定移动来使其移动，提供等离子体放电的电功率随时间变化。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 空中 表面 进行 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.用于制造具有通过真空处理过程处理的表面的基片的方法，其中所述表面具有处理结果的预定的表面分布，其特征在于，-以局部不均匀的密度分布实现等离子体放电；-使所述基片受到不均匀密度分布的等离子体放电的作用；-通过以下方式实现处理结果的分布-实现不均匀的密度分布和所述基片的预定的相对移动；-实现提供放电的电功率的和/或必要时设立的使基片偏置的其他电信号的预定时间变化；-调整所述变化和所述运动。
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