[发明专利]半透射半反射型电极基板的制造方法、反射型电极基板及其制造方法以及在该反射型电极基板的制造方法中使用的蚀刻组合物无效

专利信息
申请号: 200380109548.X 申请日: 2003-11-20
公开(公告)号: CN1745464A 公开(公告)日: 2006-03-08
发明(设计)人: 井上一吉 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: H01L21/308 分类号: H01L21/308;H05B33/26;G02F1/1343
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 孙秀武;段晓玲
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明通过使用能够选择性蚀刻的蚀刻液,使半透射半反射型电极基板的制造过程简化,避免复杂的反复作业,得到不发生时间损耗的工序,效率良好地提供半透射半反射型电极基板。本发明是制造按顺序积层了至少包含氧化铟的金属氧化物层12和至少包含Al或Ag的无机化合物层14的半透射半反射型电极基板的方法,其通过使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层14的工序和使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层12的工序来制造半透射半反射型电极基板。
搜索关键词: 透射 反射 电极 制造 方法 及其 以及 使用 蚀刻 组合
【主权项】:
1.半透射半反射型电极基板的制造方法,它是顺序地积层至少包含氧化铟的金属氧化物层、至少包含Al或Ag的无机化合物层的半透射半反射型电极基板的制造方法,其特征在于包含:使用包含磷酸、硝酸、乙酸的蚀刻液λ蚀刻上述无机化合物层的工序、以及使用含有草酸的蚀刻液σ蚀刻上述金属氧化物层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于出光兴产株式会社,未经出光兴产株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200380109548.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top