[发明专利]铜活化剂溶液以及用于半导体晶种层改进的方法无效
| 申请号： | 200380109632.1 | 申请日： | 2003-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN1748044A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | H·维邦特 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | C23C18/30 | 分类号： | C23C18/30;C23C18/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;段晓玲 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于活化铜晶种化表面以促进铜镀覆到该铜晶种化表面上的活化剂溶液和方法。该活化剂溶液是如下制备的：将前体溶液加热到至少约95℃的温度，并将该前体溶液在所述温度下保持至少约30分钟以形成活化剂溶液，其中所述前体溶液包含水、氯离子、铜离子、锡(II)离子和一种能基本防止锡(II)离子氧化成锡(IV)离子的抗氧化剂化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 铜活 溶液 以及 用于 半导体 晶种层 改进 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备活化剂溶液的前体溶液，该活化剂溶液用于活化表面以促进铜被无电镀覆到该活化的表面上，该前体溶液包含：水；氯离子；铜离子；锡(II)离子；和一种能基本防止锡(II)离子氧化成锡(IV)离子的抗氧化剂化合物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
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