[发明专利]氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200380109711.2 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1748290A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 马克·P·德维林;朴东实;史蒂文·F·莱博厄夫;拉里·B·罗兰;克里斯蒂·J·纳兰;洪慧聪;彼得·M·桑维克 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/02;C30B25/20;C30B29/40;C30B9/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种器件，其包括至少一个设置在由氮化镓构成的单晶衬底上的外延半导体层，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界并且氧杂质水平低于1019cm－3。该电子装置可以是比如发光二极管(LED)和激光二极管(LD)应用的发光应用形式，并且可以是这样的器件：GaN基晶体管、整流器、晶闸管和共射共基开关等。还提供了一种形成由氮化镓构成的单晶衬底的方法，该氮化镓衬底的位错密度小于大约104cm－2、并且基本上没有倾斜边界以及氧杂质水平低于1019cm－3，以及同质外延形成至少一个在衬底上的半导体层以及电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 晶体 同质 外延 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN单晶，具有至少2毫米的最大尺寸、小于104cm-2的位错密度，基本上没有倾斜边界、小于1019cm-3的氧杂质水平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
