[发明专利]半导体器件支撑结构的制造方法无效
| 申请号： | 200380109762.5 | 申请日： | 2003-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1748291A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | G·卡里;I·詹克斯;A·路易斯;R·卢延;H·周 | 申请（专利权）人： | 诺瓦勒克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/203;H01S5/183;H01S5/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;张志醒 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了制造半导体器件的方法。在此方法中，选择有足够厚度的起始衬底，它具有所需的缺陷密度级，并会导致不理想的掺杂级。随后在起始衬底上形成具有所需掺杂级的半导体层。得到的半导体层具有最终产品应用所需的缺陷密度和掺杂级。将有源元件、电导体和任何其它所需结构形成在所述半导体层上之后，去除起始衬底，留下所需厚度的半导体层。在VECSEL应用中，有源元件可以是增益腔，其中半导体层具有必需的缺陷密度和掺杂级以便使插头效率(WPE)达到最大值。在一个实施例中，半导体层的掺杂是不均匀的。例如，大部分半导体层的掺杂为低掺杂级，而其余部分的掺杂为高得多的掺杂级。这导致在较重掺杂材料的特定厚度下提高WPE。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 支撑 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：选择具有缺陷密度的起始半导体衬底；在所述起始半导体衬底上形成半导体层；在所述半导体层上形成有源元件；以及去除所述起始半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
