[发明专利]场效应晶体管无效
| 申请号： | 200380109769.7 | 申请日： | 2003-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN1748320A | 公开（公告）日： | 2006-03-15 |
| 发明（设计）人： | 冈本康宏;宫本广信;安藤裕二;中山达峰;井上隆;葛原正明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/812 | 分类号： | H01L29/812;H01L21/338 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在栅极电极(2)中形成以帽舌形状伸出于漏极侧上的场电极部分(5)上。在场电极部分(5)下面形成包含SiN膜(21)和SiO2膜(22)的多层膜。形成SiN膜(21)使其覆盖AlGaN电子供给层(13)的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1、一种场效应晶体管，该场效应晶体管包含包括异质结的第III族氮化物半导体层结构，形成在半导体层结构上同时彼此分开的源极电极和漏极电极，安排在所述源极电极和漏极电极之间的栅极电极，以及形成在所述第III族氮化物半导体层上的绝缘膜，其中，栅极电极有一个形成在绝缘膜上的场电极部分，该场电极部分以帽舌形状伸出于漏极电极侧上，并且绝缘膜是包括第一绝缘膜和第二绝缘膜的多层膜，所述第一绝缘膜是由包含硅和氮作为构成元素的化合物制成的，第二绝缘膜的介电常数小于第一绝缘膜的介电常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200380109769.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：综丝预张紧装置
- 下一篇：用于生产印刷电路板的投影曝光装置和投影曝光方法
- 同类专利
- 专利分类
