[发明专利]用于确定速热设备中的半导体晶片的温度的方法无效

专利信息
申请号: 200380109927.9 申请日: 2003-11-28
公开(公告)号: CN1754087A 公开(公告)日: 2006-03-29
发明(设计)人: M·豪夫;C·默克尔;C·施特里贝尔 申请(专利权)人: 马特森热力产品有限责任公司
主分类号: G01J5/00 分类号: G01J5/00;H01L21/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴立明;梁永
地址: 德国多*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及一种借助于至少一个在RTP系统上量取的测量信号、即与要确定的状态变量具有依赖关系的被测量从RTP系统的模型中确定至少一个状态变量的方法,和借助于该模型预测的被测量、即预测值,其中所述被测量和预测值分别包括直流部分和交流部分的分量,并且其中,为了形成被测量的交流部分和被测量的通过该模型预测的交流部分之间的第一差值,通过过滤器分别分开地确定至少每个交流部分,为了使模型特性与变化的系统参数相匹配,通过将第一差值反馈到模型中来对至少一个模型参数进行参数自适应,从被测量和预测值或者从消除了交流部分的被测量和消除了交流部分的预测值中形成第二差值,为了使模型系统的状态与真实系统的状态一致,通过将所述第二差值反馈到模型中来进行模型系统的状态的状态校正,和在模型上量取至少一个状态变量。
搜索关键词: 用于 确定 设备 中的 半导体 晶片 温度 方法
【主权项】:
1.用于借助于至少一个在RTP系统上量取的测量信号、即与要确定的状态变量具有依赖关系的被测量从RTP系统的模型中确定至少一个状态变量的方法,和一个借助于该模型预测的被测量、即预测值,其中该被测量和预测值分别包括直流和交流部分的分量,其中通过过滤器分别分开地确定至少该交流部分,以便形成被测量的交流部分和被测量的通过模型预测的交流部分之间的第一差值,为了使模型特性与变化的系统参数相匹配,通过将所述第一差值反馈到该模型中进行至少一个模型参数的参数自适应,从被测量和预测值或者从消除了交流部分的被测量和消除了交流部分的预测值中形成第二差值,为了使模型系统的状态与真实系统的状态一致,通过将所述第二差值反馈到该模型中进行模型系统的状态的状态校正,以及在该模型上量取至少一个状态变量。
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