[发明专利]场效应晶体管无效

专利信息
申请号: 200380110067.0 申请日: 2003-12-15
公开(公告)号: CN1757120A 公开(公告)日: 2006-04-05
发明(设计)人: 冈本康宏;宫本广信;安藤裕二;中山达峰;井上隆;葛原正明 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L29/812 分类号: H01L29/812;H01L21/338
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种电场控制电极(5),其形成在栅极(2)和漏极(3)之间。包括SiN薄膜(21)和SiO2薄膜(22)的多层薄膜形成在电场控制电极(5)下方。SiN薄膜(21)形成,使得AlGaN电子供应层(13)的表面被SiN薄膜(21)覆盖。
搜索关键词: 场效应 晶体管
【主权项】:
1.一种场效应晶体管,包括:包括异质结的第III族氮化物半导体层结构;源极和漏极,其形成在所述半导体层结构上并相互分离;以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极,其中,穿过所述第III族氮化物半导体层结构的上部的绝缘薄膜形成有电场控制电极,所述电场控制电极位于所述栅极和所述漏极之间的区域中,以及所述绝缘薄膜是包括第一绝缘薄膜和第二绝缘薄膜的多层薄膜,所述第一绝缘薄膜包含硅和氮作为组元,所述第二绝缘薄膜具有比所述第一绝缘薄膜低的介电常数。
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