[发明专利]在氮化氧化硅层中补偿氮的不均匀浓度无效
| 申请号： | 200380110220.X | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1759475A | 公开（公告）日： | 2006-04-12 |
| 发明（设计）人： | K·维乔雷克;F·格雷奇;L·赫尔曼 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/3115 | 分类号： | H01L21/3115;H01L21/314;H01L21/316;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种用于形成要求结合特定数量的氮的极薄绝缘层的方法，其中，由于在氮结合期间和/或在氮结合之后执行氧化工艺，故可令遍及该衬底表面的氮变化的影响随之减少。氮变化致使氮浓度取决于氧化速率，并且因此，氮浓度取决于绝缘层的厚度变化。尤其，可有效的降低包括作为栅极绝缘层的薄绝缘层的晶体管的阈值变化。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 氧化 硅层中 补偿 不均匀 浓度 | ||
【主权项】：
1.一种形成绝缘层的方法，该方法包括：在可氧化衬底上形成具有初始厚度(210)的介电层(202)；将氮导入至该介电层(202)；以及依据局部氮浓度而局部增加该介电层(202)的初始厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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