[发明专利]在表面发射半导体激光器中产生波导结构的方法及表面发射半导体激光器

摘要

本发明的目的在于在表面发射的半导体激光器中制造波导体结构，该半导体激光器具有有效区(3)和设置在该有效区(3)p侧上的隧道接触层(7)，该隧道接触层(7)与第二n掺杂半导体层(8)邻接。为此建议在第一外延生长过程中在p掺杂的半导体层(5)上敷设n掺杂的阻挡层(6，6a)，接着将该阻挡层(6，6a)蚀刻掉一部分形成孔(10)。然后在第二外延生长过程中将用于隧道接触层(7)的层设置在剩余的阻挡层(6，6a)以及孔(10)上。通过改变该阻挡层(6，6a)的厚度可以连续调节横向波导和模式选择。

主权项

1.一种用于在表面发射的半导体激光器中制造波导体结构的方法，该半导体激光器包括具有pn结的有效区(3)，和设置在该有效区(3)p侧上的隧道接触层(7)，所述有效区(3)由第一n掺杂半导体层(2)和至少一个p掺杂半导体层(4，5)包围，所述隧道接触层(7)与第二n掺杂半导体层(8)邻接，其中在第一外延生长过程中在所述至少一个p掺杂的半导体层(4，5)上敷设n掺杂的阻挡层(6，6a)，接着将该阻挡层(6，6a)蚀刻掉一部分以形成孔(10)，以及其中，在第二外延生长过程中将用于隧道接触层(7)的层设置在该阻挡层(6，6a)以及孔(10)上。