[发明专利]制造具有电阻尖端的半导体探针的方法

摘要

提供了一种制造具有电阻尖端的半导体探针的方法。该方法包括：在掺杂第一杂质的基板上形成掩模层以及在未被掩模层覆盖的基板上形成用第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，退火第一和第二半导体电极区，将第一和第二半导体电极区的第二参杂剂扩散到彼此面对的部分以在第一和第二半导体电极区的外边界形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，以预定的形状构图掩模层并蚀刻未被构图后的掩模层覆盖的基板的部分顶部表面来形成电阻尖端。

主权项

1.一种制造半导体探针的方法，该半导体探针包括悬臂和在所述悬臂的端部上形成的掺杂第一杂质的尖端，其中在所述尖端的峰部形成用第二杂质轻度掺杂的电阻区，在所述尖端的倾斜表面形成用所述第二杂质重度掺杂的第一和第二半导体电极区，所述第二杂质的极性与所述第一杂质的极性相反，所述方法包括：(a)在掺杂第一杂质的基板上形成条状掩模层以及通过在未被所述掩模层覆盖的基板上重度掺杂第二杂质形成第一和第二半导体电极区，所述第二杂质的极性与所述第一杂质的极性相反；(b)退火所述基板使所述第一和第二半导体电极区之间的距离变窄并在所述第一和第二半导体电极区的外边界形成用所述第二杂质轻度掺杂的电阻区；(c)以预定的形状构图所述掩模层以及蚀刻未被所述构图后的掩模层覆盖的所述基板的部分顶部表面来形成电阻尖端；以及(d)蚀刻所述基板的底部表面来形成具有在其端部形成的所述电阻尖端的悬臂。