[发明专利]在图案化的介电层之上电镀铜以增强后续CMP过程的过程均匀性的方法有效
| 申请号： | 200380110286.9 | 申请日： | 2003-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1771594A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | G·F·马克森;A·普罗伊塞;M·诺珀;F·毛厄斯贝格尔 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊;程伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一种将金属电镀到包含小直径通孔和大直径沟槽(205)的介电层上的新方法中，通过，例如，至少在介电层(203)的未图案化区域(206)上降低电镀浴中的平滑剂数量而产生表面粗糙程度，以增强后续化学机械抛光(CMP)过程中材料去除的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 介电层 之上 镀铜 增强 后续 cmp 过程 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在包含介电层(202)的基片(201)之上沉积金属的方法，所述介电层(202)具有形成在其中的图案化区域(210)和基本上未图案化区域(206)，所述方法包括：将所述基片暴露于电解液浴中，以用由下至上的技术将金属(207)非保形地沉积在所述图案化区域(210)中；在所述图案化区域(210)和所述基本上未图案化区域(206)之上形成过量金属层；在所述过量金属层的形成期间控制至少一个过程参数，以调整所述过量金属层的表面粗糙程度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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