[发明专利]采用绝缘体－半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种包括绝缘体－半导体转换材料层的场效应晶体管。绝缘体－半导体转换材料层可以选择性地提供第一状态和第二状态，第一状态：当不施与栅场时，带电空穴就不注入到绝缘体－半导体转换材料层的表面；第二状态：当施与负性栅场时，大量的带电空穴被注入到绝缘体－半导体转换材料层的表面形成导电沟道。栅绝缘层形成于绝缘体－半导体转换材料层上。栅极形成于栅绝缘层上，给绝缘体－半导体转换材料层施与预定强度的负性栅场。源极和漏极在绝缘体－半导体转换材料层的两侧彼此相对布置，以便当绝缘体－半导体转换材料层处于第二状态时，电荷载流子能通过导电沟道流动。

主权项

1、一种场效应晶体管，其包括：绝缘体-半导体转换材料层，其选择性地提供第一状态和第二状态，在第一状态中，当不施与栅场时，带电空穴不被引入到绝缘体-半导体转换材料层的表面；在第二状态中，当施与负栅场时，大量的带电空穴被引入到绝缘体-半导体转换材料层的表面，以形成导电沟道；栅绝缘层，其在该绝缘体-半导体转换材料层上形成；栅极，其在该栅绝缘层上形成，给该绝缘体-半导体转换材料层施与预定强度的负栅场；和源极和漏极，它们在该绝缘体-半导体转换材料层两侧彼此相对，当该绝缘体半导体材料层处于该第二状态时，移动带电载流子通过该导电沟道。