[发明专利]衬底处理方法和衬底处理装置有效
申请号: | 200380110365.X | 申请日: | 2003-12-02 |
公开(公告)号: | CN1791968A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 中务胜吉;小笠原和久;堺原义晶;春木佳弘;川手宗则 | 申请(专利权)人: | S.E.S.株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 处理槽(10)分成清洗处理部(15)和干燥处理部(30),在该两个处理部的接合部,形成间隙,该间隙与凹槽(29)连通,在进行衬底的干燥处理时,将衬底从清洗处理部,移向干燥处理部,将多孔板(28)插入形成有间隙的下方,按照干燥处理部(30)的内部压力高于池(29)的内部压力,并且清洗处理部(30)的内部压力低于干燥处理部(30)的内部压力的方式,向上述衬底,喷射干燥气体。此时,最好,上述多孔板(28)为开设具有规定直径的小孔的穿孔板。通过上述构成,获得干燥气体可均匀而稳定地供给到多块衬底的集合体的衬底处理法和装置。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理方法,其特征在于处理槽分为清洗处理部和干燥处理部,在这两个处理部的接合部,形成间隙,该间隙与凹槽连通,在进行衬底的干燥处理时,将该衬底从上述清洗处理部,移动到上述干燥处理部,在形成该间隙的下方,插入多孔板,按照使该干燥处理部的内部压力高于池的内部压力,并且上述清洗处理部的内部压力小于干燥处理部的内部压力的方式进行设置,向该衬底喷射干燥气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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