[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200380110628.7 | 申请日： | 2003-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN1860608A | 公开（公告）日： | 2006-11-08 |
| 发明（设计）人： | 和泉宇俊 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈晨 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题在于通过防止氢或H2O的扩散，防止铁电电容器的老化，来提供一种具有高质量的铁电电容器的半导体装置。因此，本发明提供的半导体装置，其具有在基板上形成的铁电电容器与在该铁电电容器上形成的布线结构，其特征在于，该布线结构含有层间绝缘层及在该层间绝缘层中形成的Cu布线部，以面向上述层间绝缘层的方式，形成含有防止氢扩散层的蚀刻阻止层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：在基板上形成的铁电电容器与在上述铁电电容器上形成的布线结构，其特征在于，该布线结构含有层间绝缘层及在该层间绝缘层中形成的Cu布线部，以面向上述层间绝缘层的方式形成含有防止氢扩散层的蚀刻阻止层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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