[发明专利]基板处理装置及基板处理方法无效
申请号: | 200380110641.2 | 申请日: | 2003-10-30 |
公开(公告)号: | CN1879199A | 公开(公告)日: | 2006-12-13 |
发明(设计)人: | 斋藤孝行;铃木作;山田薰;伊藤贤也;龟泽正之;山口健二 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈英俊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法,适合应用于对形成在基板的边缘部的薄膜进行腐蚀的腐蚀装置等,还适合应用于在腐蚀处理后对基板进行清洗处理的清洗装置等。用于进行腐蚀的基板处理装置,具有:基板保持部(11),使基板(W)保持大致水平并旋转;以及处理液供给部(15),在旋转的基板(W)的边缘部以处理液相对于基板(W)静止的方式供给该处理液。此外,对基板进行清洗的基板处理装置,具有:基板保持部(54),使基板W保持大致水平并旋转;以及清洗液供给部(53),从基板(W)中心朝向边缘部、且与基板(W)的表面成45°以下的仰角开口设置清洗液喷出口(53a),以0.1m/s以上的流速向基板(W)的表面供给清洗液(L)。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其特征在于,具有:基板保持部,使基板边保持大致水平边旋转;以及处理液供给部,在旋转的基板的边缘部以处理液相对于基板静止的方式供给该处理液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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