[发明专利]用于探针测试和布线接合的I/O位置

摘要

本发明公开了形成输入－输出(I/O)结构的方法，其中通过在凹槽(25)中选择性形成的第一导电阻挡层(102)覆盖具有在第一介质层(10)中的凹槽(25)的底部暴露的铜导电部分(20)的衬底。在衬底表面上形成第二介质(105)，优选有机聚合物例如聚酰亚胺，并且在第二介质(105)中形成第二凹槽(27)以使第一导电阻挡层(102)的至少一部分暴露。保形沉积第二导电阻挡层(107)，之后保形沉积籽晶层(109)，二者均在真空下沉积以确保籽晶层(109)与第二导电阻挡层(107)的附着。选择性除去凹槽(27)外部的籽晶层(107)，之后镀覆含镍金属(113)和随后镀覆贵金属(115)，其将在凹槽(27)中的籽晶层(107)的剩余部分上，而不在第二导电阻挡层(107)镀覆。通过低偏置功率RIE从暴露的场区域除去第二导电阻挡层(107)。本发明提供了形成用于探针测试和布线接合的I/O结构的低成本方法，而不损坏下面的器件和降低芯片的面积。

主权项

1.一种制造输入-输出结构的方法，包括以下步骤：提供包括介质层的衬底，所述介质层具有在其中形成的凹槽，其中所述凹槽具有包括铜的底表面；在所述衬底上保形沉积第一导电阻挡层；选择性除去所述凹槽外部的所述第一阻挡层，以使在所述凹槽中保留的所述第一导电阻挡层的一部分至少覆盖所述底表面；在所述衬底的表面上沉积第二介质层；在所述第二介质层中形成第二凹槽以暴露覆盖所述第一凹槽的底表面的所述第一导电阻挡层的至少一部分；在具有所述第二凹槽的所述衬底上保形沉积第二导电阻挡层；在所述第二导电阻挡层上保形沉积籽晶层；从所述第二凹槽外部的所述第二阻挡层的表面选择性除去所述籽晶层；在所述籽晶层的所述保留部分上选择性镀覆含镍层；以及在所述含镍层上选择性镀覆贵金属。