[发明专利]电容器

摘要

在集成电路中形成电容器的方法。根据本发明的基本版本，电容器使用密集的边缘场以形成电容。通过形成在集成电路的两个平面之间具有垂直交叠导电电极(而非平行于该平面的极板)的电容器而实现这一点。根据本发明的电容器另外包含水平即平行极板。还公开了根据该方法的电容器。

主权项

1.一种布置芯片上电容器的方法，在芯片的第一平面内的第一导电连接点与芯片的第二平面内的第二导电连接点之间形成电容，其特征在于：该方法包括从第一导电点向着第二平面到达第三平面形成至少一个第一类型的导电延伸；以及从第二导电连接点向着第一平面到达第四平面形成至少一个第二类型的导电延伸，该第四平面位于第一平面和第二平面之间，且该第三平面位于第四平面和第二平面之间；且其特征在于：第一导电延伸通过电介质与第二导电延伸隔离，使得能够在所述延伸之间形成电场。