[发明专利]发光二极管结构有效
| 申请号： | 200410000148.1 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1641889A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 许进恭;赖韦志 | 申请（专利权）人： | 元砷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种发光二极管结构，包括：一基底；一n型第一束缚层形成于基底上；一第一n型电极形成于第一束缚层上一凹陷区域；一第一主动层形成于第一束缚层上；一p型第二束缚层形成于第一主动层上；一穿隧层形成于第二束缚层上；一n型第三束缚层形成于穿隧层上；一第二n型电极形成于n型第三束缚层上一凹陷区域；一第二主动层形成于第三束缚层上；一p型第四束缚层形成于第二主动层上；一p型第三电极形成于第四束缚层上。其中穿隧层可包括一超晶格穿隧层，可免除p型第二束缚层与n型第三束缚层之间具有整流特性的pn结合面的形成。电压可透过一第二n型电极，施加给p型第二束缚层。本发明可容易单独控制两不同波长的主动层，而可以达到任意配色的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管结构，其特征在于其包括：一基底；一第一束缚层，位于该基底上，含有一N型掺杂物；一第一电极，位于该第一束缚层上；一第一主动层，位于该第一束缚层上，经激发可发出一第一色光；一第二束缚层，位于该第一主动层之上，含有P型掺杂物；一穿隧层，位于该第二束缚层之上；一第三束缚层，位于该穿隧层之上，含有一N型掺杂物； 一N型第二电极，位于该第三束缚层的一凹陷区域； 一第二主动层，位于该第三束缚层上，经激发可发出一第二色光； 一第四束缚层，位于该第二主动层之上，含有一P型掺杂物；以及 一P型第三电极，位于该第四束缚层之上。
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