[发明专利]发光二极管及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200410000149.6 申请日: 2004-01-06
公开(公告)号: CN1641890A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: 温子稷;许进恭;赖韦志 申请(专利权)人: 元砷光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是关于一种发光二极管及其制造方法,其是由基底、主动层、下束缚层、上束缚层、阳极电极以及阴极电极所组成。其中,下束缚层位于基底上、主动层位于下束缚层上、上束缚层位于主动层上、阳极电极位于上束缚层上、阴极电极位于下束缚层上且与上束缚层、主动层与阳极电极相隔离。而基底与下束缚层、下束缚层与主动层、主动层与上束缚层、上束缚层与阳极电极以及下束缚层与阴极电极之间的各界面均为规律性的粗糙面。本发明可以避免主动层所发出的光发光二极管内部发生全反射;另可以增加发光二极管的发光效率,从而更加适于实用。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种发光二极管,架构于一基底上,其特征在于其结构至少包括:一缓冲层,位于该基底上;一下束缚层,位于该缓冲层上,且该缓冲层与下束缚层的界面为规律性的一第一粗糙面;一主动层,位于该下束缚层上,且该下束缚层与该主动层的界面为规律性的一第二粗糙面;一上束缚层,位于该主动层上,且该主动层与该上束缚层的界面为规律性的一第三粗糙面;一阳极电极,位在该上束缚层上,且该上束缚层与该阳极电极的界面为规律性的一第四粗糙面;以及一阴极电极,位于该缓冲上,且与该上束缚层、该下束缚层、该主动层以及该阳极电极相隔离,其中该缓冲层与该阴极电极的界面为规律性的一第五粗糙面。
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