[发明专利]覆晶式发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 200410000152.8 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1641891A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 许世昌;许进恭 | 申请（专利权）人： | 元砷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是关于一种覆晶式发光二极管封装结构，包括子基座、图案化导电膜、发光二极管芯片以及凸块。其中子基座的侧壁上具有多数个沟槽，且沟槽的内壁并具有图案化导电膜，此图案化导电膜是由沟槽的内壁而往两端延伸至子基座的部分表面与部分背面。而发光二极管配置在子基座上，且发光二极管上具有二电极。凸块则是配置在发光二极管的电极与导电膜之间，以使发光二极管藉由凸块而与导电膜电性连接。当发光二极管封装结构配置于电路板上时，毋须进行打线制程，即可经由子基座背面的导电膜而与电路板上的电路电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 覆晶式 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
1、一种覆晶式发光二极管封装结构，其特征在于其包括：一子基座，具有一第一表面以及相对于该第一表面的一第二表面，且该子基座的侧壁上具有多数个沟槽；一第一图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及部分该些沟槽的内壁上；一第二图案化导电膜，配置于部分该第一表面、部分该第二表面以及其余该些沟槽的内壁上；以及一发光二极管芯片，配置于该子基座上，其中该发光二极管具有二电极，且该些电极是分别与该第一图案化导电膜以及该第二图案化导电膜电性连接。
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