[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410000155.1 | 申请日： | 2004-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN1518128A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 牧田直树 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/00;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;彭益群 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件包括至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘膜以及栅极，其中半导体层具有包含沟道区、源区和漏区的结晶区，栅极绝缘膜至少形成在半导体层的沟道区、源区和漏区上，形成的栅极经过栅极绝缘膜与沟道区相对。至少一部分半导体层包括能促进结晶的催化剂元素，并且半导体层还包括吸杂区，该吸杂区包括浓度比沟道区或源区和漏区高的催化剂元素。吸杂区上的栅极绝缘膜的厚度小于源区和漏区上的栅极绝缘膜的厚度，或者栅极绝缘膜不形成在吸杂区上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：至少一个薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括半导体层、栅极绝缘膜以及栅极，其中半导体层具有包含沟道区、源区和漏区的结晶区，栅极绝缘膜至少形成在半导体层的沟道区、源区和漏区上，形成的栅极经过栅极绝缘膜与沟道区相对，其中：至少一部分半导体层包括能促进结晶的催化剂元素，并且半导体层还包括吸杂区，该吸杂区包括浓度比沟道区或源区和漏区高的催化剂元素；和吸杂区上的栅极绝缘膜的厚度小于源区和漏区上的栅极绝缘膜的厚度，或者栅极绝缘膜不形成在吸杂区上。
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