[发明专利]包括沟槽电容器的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410000178.2 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1518113A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 竹中圭一;酒井伊都子;成田雅贵;大岩德久;三田淳夫;矢桥胜典 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种包括沟槽电容器的半导体器件包括半导体衬底，包括窄部分和主部分的沟槽，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径，提供在半导体衬底中环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极，沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜，以及提供在沟槽内部的第二电容器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 沟槽 电容器 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括沟槽电容器的半导体器件，包括：半导体衬底；提供在半导体衬底上的沟槽，就垂直于衬底表面的剖面而言，该沟槽包括窄部分和具有基本上直的侧壁的主部分，窄部分的直径同轴地小于主部分处的沟槽直径；提供在半导体衬底中以环绕包括窄部分的沟槽的第一电容器电极；沿第一电容器电极的表面提供的电容器绝缘膜；以及提供在沟槽内部的第二电容器电极，第二电容器电极通过电容器绝缘膜与第一电容器电极相对。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
