[发明专利]一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410000201.8 | 申请日： | 2004-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN1641893A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 赖穆人;洪详竣 | 申请（专利权）人： | 炬鑫科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郝庆芬 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明所提出的氮化镓系发光二极管制作方法是先于P型氮化镓欧姆接触层的织状纹路上形成一第一接触分布(contact spreading)金属层，接着在第一接触分布金属层上形成第二及第三金属接触分布层而构成三层结构的P型透光金属导电层，此三层结构的P型透光金属导电层经由在含有氧或氮的环境中以高温合金后具有极佳的导电性，且能有效地加强P型金属电极与P型氮化镓欧姆接触层的横向接触均匀性以避免因第二接触分布金属于第三分布接触金属层中的分布不均匀所造成局部发光的现象，亦可降低工作电压并提高外部量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓系发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板；一氮化镓系数个磊晶层于该基板上，其包含一低温缓冲层、一高温缓冲层、一N型欧姆接触层、一发光层形、一披覆层、一表面为织状结构之P型欧姆接触层；以及一P型透光金属导电层形成于该表面为织状结构的P型欧姆接触层上。
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