[发明专利]一种形成导电栓柱的方法无效
| 申请号： | 200410000212.6 | 申请日： | 2004-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1641842A | 公开（公告）日： | 2005-07-20 |
| 发明（设计）人： | 刘建宏;杨明桓;张惠珍;陈俊融;郑兆凯;刘国辰 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/31;H01L21/28;H01L21/768;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成导电栓柱的方法，利用喷液法喷印具溶解绝缘材料能力的溶剂与导电材料的溶液形成导电栓柱，所获得的导电栓柱具有低电阻率的特性，能作为上下导体层的电性连接，而此制作方法可以同时达到沉积、图案化、蚀刻三个目的，明显简化制造过程。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 导电 方法 | ||
【主权项】：
1、一种形成导电栓柱的方法，其特征在于，包含如下步骤：提供一基材；形成一第一导电层于该基材上；形成一绝缘层于该第一导电层上；以喷液法喷印一溶液于该绝缘层的上表面，该溶液具有一溶剂与一导电材料，由该溶剂蚀刻该绝缘层形成穿孔；去除该溶剂，由该导电材料沉积形成一导电栓柱；及形成一第二导电层于该绝缘层与该导电栓柱之上，由该导电栓柱形成该第一导电层与该第二导电层的电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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