[发明专利]一种超分子插层结构缓释型卡托普利及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200410000307.8 申请日: 2004-01-07
公开(公告)号: CN1640395A 公开(公告)日: 2005-07-20
发明(设计)人: 段雪;张慧;徐向宇 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: A61K31/401 分类号: A61K31/401;A61K9/24;A61P9/12;A61P9/04;A61P19/02
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 代理人: 何俊玲
地址: 100029北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种超分子插层结构缓释型卡托普利及其组装方法。本发明以阴离子层状材料LDH为主体,卡托普利为插层客体,将两种可溶性金属盐配置成的混合盐溶液与卡托普利的碱溶液经插层组装得到超分子结构Cpl-LDHs,其化学式为:(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl)a1(Cpl2-)a2(Bn-)b·mH2O。该缓释剂中卡托普利质量百分含量为20-50%,水的质量百分含量为5-20%。该缓释型卡托普利具有更佳的缓释效果,其缓释持效期可达到0.5h-12h。
搜索关键词: 一种 分子 结构 缓释型 卡托普利 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种卡托普利缓释剂型Cpl-LDHs,其化学式为:(M2+)1-x(M3+)x(OH)2(Cpl-)a1(Cpl2-)a2(Bn-)b·mH2O 其中M2+可以是Zn2+、Mg2+、Ni2+、Cu2+、Fe2+、Co2+、Ca2+、Mn2+中的任何一种;M3+可以是Al3+、Fe3+、Cr3+、V3+、Co3+、Ga3+、Ti3+中的任何一种;Cpl-、Cpl2-分别代表层间一价、二价卡托普利阴离子;Bn-为荷电量为n的无机阴离子,Bn-可以不存在或为CO32-、NO3-、Cl-、Br-、I-、OH-、H2PO4-中的任何一种、二种或三种;0.1<X<0.8;a1、a2、b分别为Cpl-、Cpl2-、Bn-的数量,并且a1+2×a2+n×b=X;m为结晶水数量,0.01<m<4。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京化工大学,未经北京化工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410000307.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top