[发明专利]压印制造方法、其制造装置、磁记录媒体的制造方法及其制造装置无效
申请号: | 200410000326.0 | 申请日: | 2004-01-07 |
公开(公告)号: | CN1518070A | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | 游佐敦;杉山寿纪 | 申请(专利权)人: | 日立麦克赛尔株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G11B3/00 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 熊志诚 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及压印制造方法、其制造装置、磁记录媒体的制造方法及其制造装置。本发明提供一种能延长模具寿命及/或对被处理体能施以高品质处理的压印方法及装置。提供的压印方法及装置具有以下特征,具有:利用高压气体或超临界流体使由涂抹了抗蚀层的底板构成的被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序;和将形成有规定图案的模具推压到上述被处理体的上述抗蚀层上,以将上述规定图案转印到上述抗蚀层上的工序。 | ||
搜索关键词: | 压印 制造 方法 装置 记录 媒体 及其 | ||
【主权项】:
1.一种压印方法,其特征在于,具有:利用加压气体或超临界流体,使由涂抹了抗蚀层的底板组成的作为被处理体的上述抗蚀层变得柔软的工序;和将形成有规定图案的模具推压在上述被处理体的上述抗蚀层上,以将上述规定图案转印到上述抗蚀层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立麦克赛尔株式会社,未经日立麦克赛尔株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410000326.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:经抛光的半导体晶片及其制造方法
- 下一篇:粘性带的施加方法及设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造