[发明专利]镶嵌式金属内连线的制造方法及介电层的修复程序有效
| 申请号： | 200410000380.5 | 申请日： | 2004-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1577794A | 公开（公告）日： | 2005-02-09 |
| 发明（设计）人： | 徐鹏富;谢志宏;卢永诚;陶宏远;邱远鸿 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王一斌 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种镶嵌式金属内连线的制造方法。包括下列步骤：形成有一含硅－碳基键的介电层于一基底上，接着，形成一双镶嵌开口于该介电层中，之后，进行一电浆灰化步骤，将该介电层结构中的硅－碳基键取代为硅－羟基键。续对该双镶嵌开口的侧壁与底部的介电层进行一修复程序，其中该修复程序依序是一卤化反应、一碳化反应与一终止反应，该修复程序是将该介电层结构中的硅－羟基键修复回硅－碳基键。上述各步骤是于一多腔反应室的个别腔室中进行且不破真空，以组成一串接制程。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 金属 连线 制造 方法 介电层 修复 程序 | ||
【主权项】：
1.一种镶嵌式金属内连线的制造方法，包含下列步骤：形成有一含硅-碳基键的介电层于一基底上；形成一镶嵌开口于该介电层中；进行一电浆灰化步骤，将该介电层结构中的硅-碳基键取代为硅-羟基键；对该镶嵌开口的侧壁与底部的介电层进行一修复程序，其中该修复程序依序是一卤化反应、一碳化反应与一终止反应；该修复程序是将该介电层结构中的硅-羟基键修复回硅-碳基键；以及上述各步骤是于一多腔反应室的个别腔室中进行且不破真空，以组成一串接制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
