[发明专利]半导体装置的制造设备的清洁方法无效
| 申请号： | 200410000467.2 | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1519889A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 尹守植;廉根永;李来应;金基俊;吴昌铉;金知晃 | 申请（专利权）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤：一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体系含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 设备 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造设备的清洁方法，包含以下步骤：一供气步骤，将一第一清洁气体与一第二清洁气体供应到一处理室之中，并使该第一与第二清洁气体形成为一混合气体，其中该第一清洁气体含有氟化碳气体与氧气，且该第二清洁气体则含有氮气；一活化步骤，通过一高频能量活化该第一与第二清洁气体所形成的混合气体；及一排气步骤，排除该活化的混合气体清洁之后所留下的残余物与残余气体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于周星工程股份有限公司，未经周星工程股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410000467.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
