[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410000600.4 | 申请日： | 1998-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1508861A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/316;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在湿气合成部分使用催化剂用氧气和氢气在第一温度下进行湿气合成，以产生合成的湿气；(b)将所述合成的湿气转移至氧化炉中的单晶片热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛，同时保持所述湿气为气态；以及(c)通过将所述晶片的所述第一主表面用灯加热到比所述第一温度高的第二温度，在所述单晶片热处理室中的湿氧化气氛中对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，其中所述单晶片热处理室的至少一部分的温度保持在低于所述第二温度的温度范围内，以防止湿气凝结发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在湿气合成部分使用催化剂用氧气和氢气在第一温度下进行湿气合成，以产生合成的湿气；(b)将所述合成的湿气转移至氧化炉中的单晶片热处理室中，以在所述室内的晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛，同时保持所述湿气为气态；以及(c)通过将所述晶片的所述第一主表面用灯加热到比所述第一温度高的第二温度，在所述单晶片热处理室中的湿氧化气氛中对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，其中所述单晶片热处理室的至少一部分的温度保持在低于所述第二温度的温度范围内，以防止湿气凝结发生。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
