[发明专利]半导体集成电路器件的制造方法无效
| 申请号： | 200410000803.3 | 申请日： | 1998-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN1521812A | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田边义和;酒井哲;夏秋信义 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将一个晶片引入氧化炉的一个单晶片热处理室；(b)将所述晶片已经引入其中的所述热处理室内的气体环境替换为氮气；(c)利用催化剂在第一温度下用氧气和氢气制备湿气；(d)保持所述湿气为气态的情况下，将所述如此制备的湿气转移至所述热处理室中以在所述热处理室内的所述晶片的第一主表面上方形成湿氧化气氛；(e)通过将所述晶片的所述第一主表面加热到高于所述第一温度的第二温度，对所述晶片的所述第一主表面上方的硅部件进行热氧化处理，以在所述热处理室中的湿氧化气氛中形成绝缘膜；(f)在所述步骤(e)之后，将所述晶片已引入其中的所述热处理室中的湿氧化气氛替换为氮气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
