[发明专利]介电层的自行平坦化方法有效
| 申请号： | 200410001097.4 | 申请日： | 2004-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1652308A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 洪永泰;陈光钊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3105;H01L21/314;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种介电层的自行平坦化方法，是先提供形成有第一介电层的一基底，再于第一介电层上形成一第二介电层。之后，进行化学机械研磨工艺，以去除第二介电层并平坦化第一介电层，其中第一介电层对第二介电层的研磨选择比约在20～500之间。因研磨时的第一介电层对第二介电层具有很大的研磨选择比，故当基底表面的高低起伏程度很大或是基底表面形成的图案密度差异大时，会因为在基底表面起伏较低或在图案密度较低的区域的第二介电层较难研除，而于研磨期间具有保护第一介电层的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 介电层 自行 平坦 方法 | ||
【主权项】：
1.一种介电层的自行平坦化方法，其特征是，包括：提供一基底，该基底具有不同的图案密度，且该基底上形成有一第一介电层；于该第一介电层上形成一第二介电层；以及进行一化学机械研磨工艺，以平坦化该第一介电层，其中该第一介电层对该第二介电层的研磨选择比在20～500之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
