[发明专利]局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200410001272.X | 申请日： | 2004-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1531095A | 公开（公告）日： | 2004-09-22 |
| 发明（设计）人： | 裵金钟;李来寅;金相秀;金基喆;金辰熙;曹寅昱;金成浩;高光旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/12;H01L21/28;H01L21/768;H01L21/8234;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 氧化物 氮化物 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，包括衬底；衬底上的氧化物-氮化物-氧化物结构；在氧化物-氮化物-氧化物结构上并与其对准的第一栅极层；在氧化物-氮化物-氧化物结构旁的衬底上的栅极绝缘体；以及在第一栅极层上和栅极绝缘体上的第二栅极层，第一和第二栅极层电连接在一起，氧化物-氮化物-氧化物结构、第一栅极层和第二栅极层限定了至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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