[发明专利]等离子加工方法和装置无效
申请号: | 200410001299.9 | 申请日: | 2004-01-06 |
公开(公告)号: | CN1519392A | 公开(公告)日: | 2004-08-11 |
发明(设计)人: | 奥村智洋;斋藤光央 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/3065;H05H1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘晓峰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种用于通过将电功率提供给设置在等离子源或待加工物体处的电极以产生直线等离子,同时将气体提供给设置在待加工物体附近的等离子源,并通过使等离子产生的活化粒子作用在待加工物体上,由此加工待加工物体的直线部分的等离子加工方法,所述方法包括步骤:当X-轴在待加工物体直线部分的直线方向时,检测等离子源在X-轴方向的倾斜度;并通过沿X-轴方向移动等离子源,同时保持等离子源和待加工物体的相对位置,以便检测的等离子源的倾斜度变得近似为零,由此通过产生的直线等离子加工待加工物体的直线部分。 | ||
搜索关键词: | 等离子 加工 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种用于通过将电源提供给设置在等离子源或物体处的电极以产生直线等离子,同时将气体提供给设置在物体附近的等离子源,并通过使等离子产生的活化粒子作用在物体上,由此加工待加工物体的直线部分的等离子加工方法,所述方法包括步骤:当X-轴作为物体直线部分的直线方向时,检测等离子源在X-轴方向的倾斜度;以及通过沿X-轴方向移动等离子源,同时保持等离子和物体的相对位置,以便检测的等离子源的倾斜度近似为零,通过产生的直线等离子加工物体的直线部分。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的