[发明专利]供气装置无效
| 申请号： | 200410001360.X | 申请日： | 2004-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1536612A | 公开（公告）日： | 2004-10-13 |
| 发明（设计）人： | 韩奎熙;刘尚昱;李锡燀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于将沉积气体供应到基板表面上的供气装置，所述供气装置包括：供气环，带有一个或多个沿所述供气环的内部形成的供气通道，还带有多个指向所述供气环中央的气体分布通道；以及多个适配器，带有分别连接到气体分布通道的喷气嘴，所述适配器可拆卸地连接到供气环内部，其中所述喷气嘴具有多种喷射构造。 | ||
| 搜索关键词： | 供气 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于将沉积气体供应到基板表面上的供气装置，所述供气装置包括：供气环，带有沿供气环内部形成的一个或多个供气通道，并带有指向所述供气环中央的多个气体分布通道；以及多个适配器，带有分别连接到所述气体分布通道的喷气嘴，所述适配器可拆卸地连接到所述供气环的内部，其中所述喷气嘴具有多种喷射构造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410001360.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：抛光组合物
- 下一篇：用于在化学机械抛光中控制晶片温度的设备及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
