[发明专利]存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法

摘要

快速存储器，它包括形成于凸台(13a)的相对侧壁(13b)上且各通过隧道绝缘层(15a)面对一侧壁(13b)和源/漏区(BL1，BL2)之一的一对浮动栅(FG1，FG2)。此浮动栅(FG1，FG2)在垂直列向的方向上各具有基本呈方形的横剖面。此方形横剖面在两相连侧之一通过隧道绝缘层(15a)面对凸台(13a)的侧壁(13b)之一而在此两相邻侧之另一通过隧道绝缘层(15a)面对该源/漏区(BL1，BL2)，同时在又一侧则通过中间多晶绝缘层(15b)面对控制栅(CG)。

主权项

1.晶体管，其特征在于它包括：由具有一对相互面对的侧壁(13b)的凸台(13a)形成的一种传导型半导体基片(13)；形成于此凸台(13a)顶部(13c)上的第一绝缘层(15c)；在此凸台(13a)的两则形成于半导体基片(13)表面上的一对相反传导型源漏区(BL1，BL2)；第二绝缘层(15a)，它们层覆盖这对侧壁(13b)之一以及所述源漏区(BL1，BL2)之一；一对浮动栅(FG1，FG2)，分别形成于此凸台(13a)的成对侧壁(13b)上并通过各相应的第二绝缘层(15a)分别面对侧壁(13b)与源漏区(BL1，BL2)；第三绝缘层(15b)，它们各形成于此浮动栅(FG1，FG2)之一上；控制栅(CG)，它通过此第三绝缘层(15b)面对成对的浮动栅(FG1，FG2)且通过第一绝缘层(15c)面对凸台(13a)的顶部(15c)；其中所述成对的浮动栅(FG1，FG2)各具有基本上方形的剖面，它于一侧通过一第二绝缘层(15a)面对凸台(13a)的一个侧壁(13b)而于另一侧通过第二绝缘层(15a)面对一个源/漏区(BL1，BL2)且于另一侧通过一第三绝缘层(15b)面对控制栅(CG)。