[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200410001442.4 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1519861A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 角谷范彦;法邑茂夫;中井洋次;金原旭成;辻村和树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体存储器，提供了即使是存取晶体管和激励晶体管的栅极幅度相等的场合也稳定地动作的半导体存储装置。当在位线对31、32之间设置空位线33，将位线对31、32设定为电源电压，将空位线33设定为接地电压之后，对它们进行均衡。在以后的读出中，当激活字线30时，由于位线对31、32是已变成比电源电压低的中间电位的状态，因此存储晶体管11、21的电流驱动能力在外观上下降，存储单元10的静态噪声容限变大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置具备6个晶体管构成的存储单元，以及与该存储单元连接的字线和位线对的装置，其特征在于，它还具备：用于将所述位线对预充电到电源电压的装置；与所述位线对不同的空位线；用于将所述空位线放电到比所述电源电压低的第1电压的装置；以及为了将在所述存储器的读出前的所述位线对的电压设置成比上述电源电压低的第2电压而用于均衡被预充电到所述电源电压的位线对和被放电到所述第1电压的空位线的装置。
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