[发明专利]微结构光纤有效
申请号: | 200410001542.7 | 申请日: | 2004-01-13 |
公开(公告)号: | CN1542471A | 公开(公告)日: | 2004-11-03 |
发明(设计)人: | 长谷川健美;笹冈英资;西冈大造;上田知彥;细谷俊史 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | G02B6/16 | 分类号: | G02B6/16;G02B6/36 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种适合用于单光纤或多光纤光学连接器或阵列的光纤,该光纤由芯区和包围芯区的包层区构成,并且,在波长λ上,在弯曲直径为15mm时,该光纤的基模弯曲损耗低于0.1dB/m,在波长λ上,在光纤一端的基模模场直径,在8.0μm到50λ之间,而且,在波长λ上,在弯曲直径为30mm时,该光纤的第一高阶模的弯曲损耗,高于1dB/m。该光纤是多重结构的,其中的包层区包括主介质和在其内的多个副介质区,以形成空间均匀的平均折射率。 | ||
搜索关键词: | 微结构 光纤 | ||
【主权项】:
1.一种光纤,包括芯、包围芯的内包层、和包围内包层的外包层,其中芯是第一主介质,在200nm到1700nm的波长λ上,具有折射率n1;至少作为光纤的一部分的内包层,包括第二主介质和多个副介质区,第二主介质在波长λ上的折射率是低于n1的n2,多个副介质区在波长λ上的折射率是低于n2的n3;外包层是第三主介质,在波长λ上的折射率n4高于内包层的平均折射率N;所述芯、内包层、外包层、和副介质区,沿光纤的轴伸延;光纤的基模在弯曲直径为15mm时,在波长λ上的弯曲损耗,低于0.1dB/m;在光纤的端部,在波长λ上,基模的模场直径在8.0μm到50λ之间;和在波长λ上,第一高阶模在弯曲直径为30mm时的弯曲损耗,高于1dB/m。
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