[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410001558.8 | 申请日： | 2004-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN1523675A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 中冈弘明;濑部绍夫;山田隆顺 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/11;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。目的在于：在抑制逆窄现象的同时，把窄栅极宽度的MIS晶体管和宽栅极宽度的MIS晶体管的阈值电压控制在同一程度上。通过以抗蚀膜5及保护绝缘膜3a为注入屏蔽的，在与栅极宽度方向平行的剖面上，从与半导体衬底1的主面垂线倾斜10°～30°的方向，进行阈值控制用杂质的离子注入，来在SRAM的存储单元MIS晶体管Mtrs的活性区域的中央部形成相互重叠的第一低浓度杂质注入区域6。并且，在形成元件隔离7之后，进行不用注入屏蔽的离子注入，在各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl的活性区域上形成第二低浓度杂质注入区域9。因此在制造工序结束后，所形成的各个MIS晶体管Ltr、Mtrs、Mtrl都含有相同的阈值电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其包括拥有第一活性区域的半导体衬底以及被设置在所述第一活性区域中的，拥有第一栅极宽度的第一MIS晶体管，其特征在于：所述第MIS晶体管拥有阈值电压控制用杂质扩散区域，阈值电压控制用杂质扩散区域拥有两个含有第一导电杂质的、并且在与所述第一活性区域的栅极宽度方向平行的剖面的中央部相互接触的第一杂质扩散区域。
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