[发明专利]非挥发性内存及其制造方法

摘要

一种非挥发性内存及其制造方法，其基板隔离区形成于半导体基板上并突出于基板介电区域。然后选择闸线形成。后一浮置闸层沉积并进行蚀刻，直至基板隔离区暴露，且浮置闸层至少自选择闸线的一个部分移除。介电层形成于浮置闸层上，且控制闸层沉积并向上突出于每一选择闸线上，突出部独立地定义控制闸于任何微影对准中，浮置闸然后独立地定义于微影对准，而非涉及图案化基板隔离区域与选择闸线的对准。介电层具有一连续图案并覆盖于浮置闸和选择闸上。控制闸覆盖于浮置闸和介电层的连续图案上，但不覆盖于选择闸上。选择闸线穿过基板隔离区域，每一选择闸线具有平坦的顶端表面，但位于基板隔离区域的选择闸线的底面为高低起伏的。

主权项

1.一种制造集成电路的方法，该集成电路包括一非挥发性内存，该内存包含一个数组的非挥发性存储单元，而该集成电路包含一含有此数组的数组区域，该数组的每一存储单元具有一导电浮置闸及一第一导电闸使彼此绝缘，其中该方法包括步骤：(a)于一半导体基板形成一个或多个基板隔离区域在该半导体基板的主动区域之间，每一个该基板隔离区域为一突起于该半导体基板上的介电区域；(b)形成一个或多个导电线G1，每一导电线G1覆盖于至少一主动区域，其中每一第一导电闸包含一导电线G1的一部分；(c)形成一导电层在该第一导电线及该基板隔离区域，其中每一浮置闸包含该导电层的一个部分；以及(d)部分移除该导电层，以使该基板隔离区域暴露出，且至少由每一导电线G1的一部分移除导电层。