[发明专利]全局位线对的电位振幅限制成部分摆幅的半导体存储装置无效
| 申请号： | 200410001682.4 | 申请日： | 2004-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1523610A | 公开（公告）日： | 2004-08-25 |
| 发明（设计）人： | 中濑泰伸 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419;H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 全局字线(HWD<0>)若成为「H」电平，则局部读出放大器(SA1<0>)通过数据保持结点(D20及D21)的电位驱动全局位线对(HBT、HBTC)。全局读出使能信号HSE为「H」电平时，全局读出放大器(HAS)放大数据保持结点(D30及D31)的电位差。全局读出使能信号(HSE)由反相器(G19)反相，发送到全局字驱动器(G16)。通过全局字驱动器(G16)使全局字线(HWD<0>)为「L」电平时，局部读出放大器(SA1<0>)停止驱动全局位线对(HBT、HBTC)。 | ||
| 搜索关键词： | 全局 电位 振幅 限制 部分 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，包括：分层构成的读出放大器群，用以从存储单元读出数据；连接下层的读出放大器和上层读出放大器的互补信号线群；控制电路，在互补信号线间的电位差达到电源电压之前，通过与该互补信号线连接的下层读出放大器停止该互补信号线的驱动，同时激活与该互补信号线连接的上层读出放大器。
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