[发明专利]具有回路式图案结构的存储器阵列及其制造方法

摘要

本发明公开一种具有回路式图案结构的存储器阵列及其制造方法，可结合上面具有暗回路的交替式相移掩模(alternating phase shift mask)。该存储器阵列包括：多个栅极线，每一栅极线均包含具有第一和第二区段的回路部分；以及多个关联于每一栅极线的DRAM单元并包含第一以及第二DRAM单元，其中，第一DRAM单元包含由第一区段所组成的第一栅极，而第二DRAM单元包含由第二区段所组成的第二栅极；以及多个与DRAM单元连接的位线，而每一位线连接到其中的一个第一DRAM单元或连接到其中的一个第二DRAM单元。利用该交替式相移掩模，可在该存储器阵列中建立无干扰的图像，并且只需一次的曝光便可达到高分辨率的需求。

主权项

1.一种可供具有开放式位线结构的DRAM芯片使用的存储器阵列，包括：多个栅极线，其中，每一个栅极线均包含一个具有一个第一区段以及一个第二区段的回路部分；以及多个关联于每一个栅极线的DRAM单元并包含第一DRAM单元以及第二DRAM单元，其中，第一DRAM单元包含由第一区段所组成的第一栅极，而第二DRAM单元包含由第二区段所组成的第二栅极；以及多个与DRAM单元连接的位线，而每一个位线是连接到其中的一个第一DRAM单元或是连接到其中的一个第二DRAM单元。