[发明专利]半导体装置以及搭载该装置的IC卡无效
申请号: | 200410001841.0 | 申请日: | 2004-01-14 |
公开(公告)号: | CN1518107A | 公开(公告)日: | 2004-08-04 |
发明(设计)人: | 间野良隆;中根让治 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/092 | 分类号: | H01L27/092;G06K19/07 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体装置,包括:降低电源电压(VDD)而输出内部电压(VINT)的降压电路(11)、与内部电压连接的非易失性存储器(13)、具有开关晶体管(PN1)和电阻器(R3)的消耗电流控制电路(14)。在此,非易失性存储器消耗的电流量与电阻器消耗的电流量大体上一致。消耗电流控制电路,利用存储器活化信号(RACT),在非易失性存储器不动作时让开关晶体管处于导通状态,消耗与非易失性存储器消耗的电流量大体相同的电流量,而在非易失性存储器动作时让开关晶体管处于截止状态,停止电阻器的电流消耗。这样,即使内部电路从停止状态变换到动作状态的变化情况下、也能供给稳定的电压。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 以及 搭载 ic | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,是包括从电源电压产生内部电压的内部电压供给电路、和由所述内部电压让其动作的内部电路的半导体装置,其特征在于:包括:由栅极接受从所述内部电路输出的动作信号的开关晶体管、和与所述开关晶体管的漏极连接、并消耗与所述内部电路在动作时所消耗的电流量相同的电流量的负载电路,所述开关晶体管,由所述动作信号,在所述内部电路动作时变成截止状态,而在所述内部电路非动作时变成导通状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的