[发明专利]有机绝缘膜、其制造方法、使用该有机绝缘膜的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200410001855.2 | 申请日： | 2004-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN1518075A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 大音光市;宇佐美达矢;森田升;远藤和彦 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C23C16/42 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉;丁业平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当前许多研究的主题，SiC和SiCN，其介电常数均为4.5－5左右，SiOC的介电常数为2.8－3.0左右。随着由器件尺寸减少引起的连接尺寸与连接间距的进一步小型化，迫切需要进一步降低介电常数。此外，因为SiOC与SiCN以及SiOC与SiC的蚀刻选择比小，因此，如果使用SiCN或SiC作为蚀刻阻止膜，则在除去光致蚀刻剂的时候可能会氧化金属互连层的表面，这会引起高接触电阻的问题。本发明涉及由SiOCH、SiCHN和SiCH中的任一种制成的有机膜，它们是使用聚有机硅烷作为原源形成的，所述聚有机硅烷C/Si比至少等于或者大于5，分子量等于或大于100，并且本发明也涉及在其中使用这种有机绝缘膜的半导体器件，更具体而言，涉及具有沟槽型结构的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 绝缘 制造 方法 使用 半导体器件 及其 | ||
【主权项】：
1.一种有机绝缘膜，它是通过使用聚有机硅烷作为原源形成的，其中聚有机硅烷的C/Si比至少等于或者大于5，同时，其分子量等于或大于100。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社，未经恩益禧电子股份有限公司;日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200410001855.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
