[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200410001874.5 | 申请日： | 2004-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN1519953A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 海老原美香 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本千叶*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是采用一种简单的工艺来提供MOS型晶体管，其中高浓度结可以被非常浅且稳定地形成，以避免由于生产中的差异所造成的构成漏/源区域的高浓度区域延伸超过接触孔，而这是采用传统的具有LDD结构的MOS型晶体管所无法达到的。本发明具有如下特征。即，在形成MOS型晶体管的接触孔时，采用了氮化膜作为腐蚀阻挡膜以阻止硅衬底被过腐蚀。通过使用接触孔作为掩模，采用离子注入工艺来形成构成源/漏区域的高浓度的扩散区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：场氧化膜，其形成在一种导电类型的半导体衬底上；栅电极，其通过栅氧化膜形成在一种导电类型的半导体衬底上，并被场绝缘膜所包围；具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域，所述源/漏区域形成在被场氧化膜和栅电极所包围的区域中；层间膜，用以实现栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域与形成在其上的布线之间的电绝缘；接触孔，其形成在层间膜中，用以在布线、栅电极以及具有相反导电类型的低浓度的源/漏区域之间提供电连接；氮化膜，被形成用于阻止在层间膜中形成接触孔时一种导电类型的半导体衬底被过腐蚀；以及具有相反导电类型的高浓度扩散层，其仅被选择性地形成在其中形成有接触孔的具有相反导电类型的低浓度源/漏区域中。
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