[发明专利]具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法

摘要

一种具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法，包括通过有选择地刻蚀覆盖位线的绝缘层形成带型开口。带型开口在栅极线的纵向延伸，以便露出第一接触焊盘和具有在位线的纵向突出的部分。方法还包括在绝缘层上形成填充带型开口和电连接到第一接触焊盘的导电层。然后构图导电层以将导电层分为在位线的纵向延伸的单个存储节点接触体。然后在存储节点接触体上形成存储节点。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极线；在栅极线之间形成第一绝缘层；在第一绝缘层中和栅极线之间形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，第一和第二接触焊盘接触半导体衬底的表面；形成覆盖第一和第二接触焊盘的第二绝缘层；在第二绝缘层上形成位线，位线电连接到第二接触焊盘和延伸跨越栅极线；形成覆盖位线的第三绝缘层；以及通过有选择地刻蚀部分第三绝缘层形成Z字形带型开口，其中带型开口在栅极线的纵向延伸，以露出第一接触焊盘，以及其中带型开口具有在位线的纵向突出的部分。