[发明专利]具有由氨气中侧氮化处理的多金属栅结构的栅电极的半导体器件无效
| 申请号： | 200410001937.7 | 申请日： | 2004-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1519901A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 北村英次;山田悟;加藤慈规;齐野敢太;齐藤政良;饭岛晋平;大汤静宪 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器株式会社;日立超大规模集成电路系统株式会社;株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其在钨膜和多晶硅层之间具有降低的接触电阻和带有具有降低的栅电阻且被预防耗尽的栅电极。根据制造装置半导体器件的方法，一种半导体器件，其在形成栅电极之后且在栅电极上执行侧面选择性氧化之前，通过在氨气体中在700℃－950℃的氮化温度下氮化栅电极的侧面的方式来制造带有多金属栅结构的栅电极，其中，多金属栅结构包含带有钨(W)膜、氮化钨(WN)膜和多晶硅(PolySi)层的三层结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氨气 氮化 处理 金属 结构 电极 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种制造带有多金属栅结构的栅电极的半导体器件的方法，其中，多金属栅结构包含带有金属膜、阻挡膜和多晶硅层的三层结构，该方法包含以下步骤：相继在半导体衬底上形成栅绝缘膜、多晶硅层、阻挡膜和金属膜；对所述金属膜、所述阻挡膜和所述多晶硅层进行蚀刻，以形成栅电极；在氨气体中且在700℃-950℃的氮化温度范围下在所述栅电极上进行侧面氮化；以及进行侧面选择性氧化，以氧化所述多晶硅层和所述半导体衬底中的硅而不氧化所述金属膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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