[发明专利]在源和漏区下面具有缓冲区的金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200410001940.9 | 申请日： | 2004-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN1518127A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 金成玟;吴昌佑;朴东健;李成泳;赵慧珍;尹恩贞;李信爱;崔晶东 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。 | ||
| 搜索关键词： | 下面 具有 缓冲区 金属 氧化物 半导体 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管单元，包括：集成电路衬底；集成电路衬底上的MOS晶体管，MOS晶体管具有源区、漏区以7及栅极，栅极位于源区和漏区之间；以及分别在源区和漏区下面，并且在源区和集成电路衬底以及漏区和集成电路衬底的每一个之间的第一和第二隔开的缓冲区。
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