[发明专利]一种实现可控硅可靠关断的方法

摘要

用可控硅控制交流电的导通或关断时，控制信号两端一般通过一小变压器将控制信号引入，但由于变压器为一储能元件，在切出控制信号后，所存贮的能量仍然和主回路感应过来的能量叠加，可能导致控制信号两端电压不能下降到可控硅的不触发电压之下，从而导致可控硅继续导通，处于失控状态，特别是小容量可控硅控制大电流时，此种现象更突出。本发明正是为了解决此问题而提出。本发明是一种实现可控硅可靠关断的方法。它是通过在可控硅的控制信号两端接一负载，此负载在导通状态时，阻抗值较大，不影响正常运行；在关断状态时，阻抗值较小，使控制信号两端的电压迅速降低至可控硅的不触发电压之下，从而实现可控硅的可靠关断。本发明主要应用于可控硅控制电路。

主权项

1、一种实现可控硅可靠关断的方法，其特征在于：1)可控硅的控制信号两端接一可变负载，此负载的阻抗值随控制信号的状态不同而变化。2)在控制导通状态时，可变负载的阻抗值较大，不改变控制特性，使可控硅实现正常接通。3)在切出控制信号时，可变负载的阻抗值较小，从而将控制信号两端的电压迅速拉低至可控硅的不触发电压之下，使可控硅实现可靠关断。