[发明专利]具有高电阻缓冲层的发光组件无效
| 申请号： | 200410002420.X | 申请日： | 2004-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1649177A | 公开（公告）日： | 2005-08-03 |
| 发明（设计）人： | 周铭俊;金明达 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有高电阻缓冲层的发光组件，其包含形成于第一电极上之基板，形成于基板上之第一束缚层，形成于第一束缚层上之活性层，形成于活性层上之第二束缚层，形成于第二束缚层上之高电阻缓冲层，形成于高电阻缓冲层上之接触层，用以提供一欧姆接触(ohmic contact)，形成于接触层上之导电透光氧化层，以及一电流阻隔区。其中高电阻缓冲层之电阻大于第二束缚层之电阻，使得流经高电阻缓冲层之电流能维持其水平方向之分散度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 缓冲 发光 组件 | ||
【主权项】：
1.一种具有高电阻缓冲层的发光组件，包括：一基板；一第一束缚层，形成于该基板上；一活性层，形成于该第一束缚层上；一第二束缚层，形成于该活性层上；一高电阻缓冲层，形成于该第二束缚层上，其中该缓冲层之电阻大于该第二束缚层之电阻；一接触层，形成于该高电阻缓冲层上；一透明导电层，形成于该接触层上；以及电极。
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